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「10纳米D RAM技术在南亚的突破」

日期:2020-02-13 01:16:29;来源:文章来源于网络

全球dram内存芯片掌握在三星、skhayrex和美光三家公司手中的关键原因是这三项技术专利形成了非常高的门槛,其他公司很难突破。

南亚之前的内存也是来自美光授权,今年他们将转向自主研发的10nm级内存,未来将产生ddr4/lpddr4/dr5等内存粒子。

南亚科技已经成为继两年前公司全资收购华亚科技之后的全球第四大内存工厂,但份额只有2%左右,而且技术主要来源于美世科技的许可,而这项技术的背后也有很多。经过三星、美光、SKHelix转向1x、1y、1znm工艺后,南亚的主力依然是30nm,以此类推,从Mercer的授权,仅用了两年时间就获得了20nm内存合作研发模式,这是南亚最后一次内存开发或99nm时代。.

在10nm内存芯片方面,南亚决定自主研发,目前10nm级的主导产品有望在今年下半年试产,主要包括8gb核心ddr4、lpddr4和未来ddr5,可以通过自主研发技术平台生产。

在解决了10nm级记忆工艺技术后,南亚将继续研发第二代10nm级工艺,预计2022年量产,第三代10nm级工艺。

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